电子:NAND闪存预计供货不足 荐4股

　　NAND Flash当前竞争格局

　　闪存是目前各类消费电子和通信产品必不可少的存储器类型。目前NAND Flash产业链包含上游芯片设计、制造设备、晶圆制造、下游封测。存储器行业投资巨大,行业国际巨头利用自身技术和资金优势将新进入者拦在门外,目前具备整合产业链能力的中国公司屈指可数。而中国政府的决心、国家政策上的重视以及集成电路产业基金的落地,使得未来中国在存储器领域具备了和一线国际大厂竞争的能力,随着消费电子、汽车电子、工业、医疗、大数据、云计算、物联网的需求的不断落地,NAND Flash的需求增速平均增长率预计达到46%,产业链内包括Flash晶圆制造、封测等领域都将受益。 目前NAND Flash产能基本被国外厂商包括三星、东芝、闪迪、美光、SK海力士、英特尔所垄断。现阶段的主流NAND Flash已经进入技术瓶颈,无法再延续摩尔定律,三星是业内转向3D NAND且能量产的主要厂商,尽管国内在存储器领域已经落后国外几十年,但是通过2D NAND向3D NAND转变的技术路线中,通过较为成熟的30nm工艺以及3D技术,将会大大缩小国内外的技术差距。

　　我国NAND Flash发展展望

　　我国正在积极打造基于IDM模式的存储器厂商,完善存储产业的布局。目前的第三代3D NAND技术成本依然偏高,想要达到成本上的平衡需要堆叠64层或以上。而云计算、大数据化的今天随着消费电子存储升级的需要,在存储器领域的需求将会越来越大,按照眼下NAND的缺货情况来估算,在武汉新芯投产之前,3D NAND芯片也会供应不足,预计2016年3D NAND将会占到全球NAND的20%,远超去年6%的水平。选择3D NAND作为我国存储器产业的突破口将使我国与国际一流厂商的技术差距缩减到5年以内,围绕整个存储器产业链条的并购和投资将会持续到2020年底,中国将会在全球的存储器产业中占据一席之地。

　　当前NAND Flash的投资逻辑 NAND Flash目前面临季节性供货不足的风险,由于3D NAND Flash制程导入不畅,2D NAND Flash新增产能和投资不足,而市场依旧以2D NAND Flash作为供货主流,导致的供货短缺情况不可避免,从国际一线厂商国内设厂来看,基于NAND Flash产业的上下游合作将会更加紧密,密切关注上下游产业链的投资机会。

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