工信部酝酿“招贤”计划 破解集成电路产业瓶颈

　　“我们在正确的道路上，向着正确的方向取得了实实在在的发展。”长江存储总经理杨士宁在本周举行的“2016年中国集成电路产业发展研讨会暨第十九届中国集成电路制造年会”上发出如此感慨，并得到中芯国际、华虹宏力等集成电路龙头企业与会代表的认同。

　　与此同时，在上游的集成电路设备及材料领域，中微半导体、北方微电子(七星电子子公司)、盛美半导体、北京科华等企业代表也表示，已实现了“从无到有”的跨越。他们认为，随着市场重心向中国转移，国内集成电路制造业随之而起的大规模扩张也是上游设备材料产业千载难逢的发展机遇。

　　但不容忽视的是，在发展机遇面前，创新能力和人才储备已成为国内集成电路产业亟待解决的问题。从紧跟世界领先水平，到走向自主创新，产业升级扩张所需要的人才支撑、人才培养和人才聚集，已被龙头企业和工信部等政府部门提上了日程。

　　制造环节追赶先进

　　“大基金现在重点支持中芯国际、长江存储、华虹宏力。”在福建厦门举行的本届年会上，国家集成电路产业投资基金股份有限公司(简称“大基金”)总经理丁文武强调。集成电路制造是国家发展和支持的重点领域，而鉴于信息和产业安全，发展存储器产业已成为“重中之重”。

　　“我们在正确的道路上，向着正确的方向取得了实实在在的发展。”长江存储总经理杨士宁如此概括该公司在3D-NAND领域的业务进展。在杨士宁看来，中国现在具有发展存储器产业的机遇：目前55%的存储器市场在中国，集中的市场下，需要一个打破现有平衡的供应商。而长期的国家政策和资金支持，使得产业有了一定的积累，有了聚集全球半导体领域人才的可能。

　　“但一个空前的挑战是，在主流集成电路领域已经没有‘容易干的活’。”杨士宁也清楚中国发展存储器的难度。这个产业的发展速度之快，使技术上落后五年就等于“已被判死刑”。鉴于此，长江存储选择了3D-NAND作为突破口。事实上，3D-NAND已成为存储器发展“众望所归”的方向。

　　杨士宁介绍称，长江存储主要股东武汉新芯的3D-NAND架构已完全打通，目前已进展到可靠性测试环节。此前，据中国科学院微电子研究所所长叶甜春介绍，武汉新芯与该所联合完成了39层3D-NAND工艺流程搭建和原型结构开发，各项结构参数达到要求，开始产品试制。

　　在本届年会上，中芯国际首席运营官赵海军笑言，虽然已成为产业风向标，中芯国际对集成电路产业的态度依然是：“纵你虐我千百遍，我仍待你如初恋。”赵海军表示，中芯国际的目标是国内顶尖和世界前三。据透露，中芯国际在技术上已进入14nm级的研发阶段、10nm级的储备阶段，近期在产能扩张上也有望再度发力。

　　不过，中芯国际等龙头企业追赶全球先进水平的脚步可能还需要提速。“在台积电即将量产10nm级产品的情况下，不管是28nm级还是14nm级，都已略显落后。更好地学习先进，在别人走过的道路上不走冤枉路，才能加速前进和追赶。”一位上游设备供应商代表对上证报记者表示。