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光迅科技:光迅募资6亿研发高端光芯片实现向高端产品转型
光迅于28日公告了募资方案,拟非公开发行股票募集资金总额不超过63,000万元,在扣除发行费用后实际募集资金净额60,963万元,用于宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。
公司将以光电子芯片技术为龙头,针对数个市场急需的目标产品进行产业化,本次募投项目的目标产能为年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件、年产0.96万只40G接收器件。建设期为2年。全部达产后预计新增产品年销售收入76,308.00万元,年新增利润总额13,871.00万元,预计投资回收期(税后)6.45年(含建设期2年),内部收益率(税后)为16.65%,具有较好的经济效益。
评论:
光迅定增募资6个亿开发高端芯片,吻合公司从中低端向高端转型的战略目标。
40G100G高端光芯片预计1.5-2年后商用,预计商用后将每年为公司带来1.38亿净利润,增厚业绩0.66元,增厚比例69%。
由于全球下游通信设备厂商对于40G100G高端光芯片和模块需求旺盛,全球40G100G高端光芯片和模块未来5年的复合增长率预计都将超过100%。
目前全球40G100G高端光芯片仅掌握在美国2-3家厂商手中,光迅是国内第一家敢于正式挑战国外垄断的厂商,将为公司5年内进入全球前三强的目标奠定基础。
维持2013/2014/2015年0.96/1.36/1.71元的盈利预测,增持评级和47.6元的目标价。
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